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高性能沟道MOSFET技术规格书.pdf

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    表格

    {

    边框‑collapse:

    collapse;

    }

    表格,

    th,

    td

    {

    边框:

    1px

    solid

    #000;

    }

    FQP9N25C

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    FQPF9N25C

    N沟道QFET®

    MOSFET

    250伏特，8.8安培，430毫Ω

    产品描述

    这款N沟道增强型功率MOSFET采用飞兆®专有的平面条状DMOS技术制造。

    该先进MOSFET技术经特殊优化，可显著降低导通电阻，并卓越的开关性能与高

    雪崩能量承受能力。该器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及电子

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