第六讲低能电子衍射.pptxVIP

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  • 2026-09-30 发布于北京
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;目录;01;理论基础:电子波与晶体周期势场的相互作用;;能量范围:50-500eV电子束的穿透深度与表面灵敏度;对比高能电子衍射(RHEED):表面动态过程的实时监测优势;02;;低能电子衍射枪通过电磁场加速电子,提供5至500eV或更高能量的单色电子束,实验中需根据样品特性精确调节加速电压以校准入射电子能量。;数据分析:I-V曲线拟合与LEED斑强度提取;03;;;数据对比:清洁Si表面与氧化Si表面的LEED图案差异;04;痛点分析:多重散射导致的“假峰”识别;解决方案:动态LEED技术分离真实衍射;;05;注意事项:样品台振动隔离与电子枪寿命管理;环境评估阶段;设备清单:核心部件与配套系统规划;06;典型数据:Au(100)表面重构的LEED斑强度随温度变化曲线;结构与形貌互补;;THANKS

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