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CN119545813A 一种与多晶硅发射极工艺兼容的低温度系数多晶硅电阻制备方法 （华东光电集成器件研究所）.pdfVIP

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  • 2026-09-30 发布于重庆
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CN119545813A 一种与多晶硅发射极工艺兼容的低温度系数多晶硅电阻制备方法 （华东光电集成器件研究所）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119545813A

    (43)申请公布日2025.02.28

    (21)申请号202411486801.3

    (22)申请日2024.10.23

    (71)申请人华东光电集成器件研究所

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