原创力文档2013年3月
FDU6N25
N沟道UniFETTM
MOSFET
250伏，4.4安，1.1
特性产品描述
•导通电阻
=1.1(最大值)
@
栅源电压
=10V,
漏极电流
=2.2
AUniFETTM
MOSFET是飞兆®基于平面条状和DMOS
您可能关注的文档
最近下载
- 2021年隆昌市隆润实业集团有限公司招聘试题及答案解析.docx VIP
- 海信-大多联-HiMUlTI NEW M2系列2024版.pdf
- 保乳术及前哨淋巴结活检演示文稿.ppt VIP
- 第二单元+第二课++心灵的色彩+课件+-2026-2027学年人美版初中美术七年级上册.pptx VIP
- 2022年隆昌市隆润实业集团有限公司招聘考试题库及答案解析.docx VIP
- TCW-32A温度控制器说明书.pdf VIP
- 冰雪奇缘镜泊湖冬捕历史及神秘仪式64课件.ppt VIP
- 勾股定理全章综合复习实用讲义.pdf
- 女性阴道微生态失调临床诊治指南.pdf VIP
- 城镇地籍调查规程(国家土地管理局,1993年6月22日).doc VIP
文档评论（0）