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“半导体制造技术”题库详解

一、单项选择题（本大题共20小题，每小题1分，共20分）

1.在半导体制造过程中，光刻技术的核心作用是（）。

A.材料沉积

B.材料刻蚀

C.图案转移

D.晶体生长

解析：光刻技术通过曝光和显影将电路图案转移到光刻胶上，最终实现晶圆表面图形的精确复制，是半导体制造中的关键步骤。选项A材料沉积属于薄膜生长过程，选项B材料刻蚀是去除多余材料，选项D晶体生长是硅锭制备阶段，均与光刻技术功能不符。

2.硅片在进入光刻工艺前，需要进行退火处理的主要目的是（）。

A.提高表面粗糙度

B.消除应力损伤

C.增强导电性

D.改变晶格结构

解析：退火处理通过加热使硅片内部缺陷（如位错、堆垛层错）运动并复合，从而消除机械抛光或离子注入造成的应力损伤，改善器件性能。选项A表面粗糙度由抛光工艺控制，选项C导电性由掺杂工艺决定，选项D晶格结构在高温下可能发生相变，但退火通常在低于相变温度下进行。

3.在刻蚀工艺中，选择性刻蚀是指（）。

A.同时刻蚀多种材料

B.只刻蚀特定材料

C.刻蚀速率恒定不变

D.刻蚀深度均匀一致

解析：选择性刻蚀是指通过控制刻蚀剂与不同材料的反应速率差异，仅去除目标材料而保留其他材料，是半导体多层