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APM3195PD沟道MOSFET特性与封装.pdfVIP

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  • 2026-10-13 发布于北京
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APM3195PD沟道MOSFET特性与封装.pdf

    APM3195PD｜end▁

    of▁sentence｜

    P沟道增强型MOSFET｜end▁of▁sentence｜

    功能｜end▁of▁sentence｜引脚描述｜end▁of▁

    sentence｜

    •‑30V/‑2A,

    RDS(ON)=230m(典型值)

    @

    VGS=‑10V

    RDS(ON)

    =385m(典型值)

    @

    VGS=‑4.5V

    密度单元设计

    可靠且坚

    固

    无铅可用

    (符合RoHS)｜end▁of▁sentence｜

    G

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