原子层沉积——原子层沉积前驱体的化学特性及相关工艺规范 标准立项发展报告.docxVIP

原子层沉积——原子层沉积前驱体的化学特性及相关工艺规范标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Atomiclayerdeposition—Chemicalcharacteristicsandrelatedprocessspecificationsofatomiclayerdepositionprecursors

摘要

原子层沉积（AtomicLayerDeposition,ALD）技术凭借其亚纳米级薄膜厚度控制精度、优异的保形性与三维共形覆盖能力，已成为先进半导体制造、新型显示、新能源器件及纳米功能材料制备等战略新兴领域不可或缺的核心薄膜沉积技术。随着集成电路制程节点持续微缩至3纳米及以下，高介电常数栅介质、金属栅电极、阻挡层/种子层等关键薄膜对前驱体的化学纯度、热稳定性、反应活性及工艺窗口一致性提出了极为苛刻的要求。然而，长期以来国际范围内缺乏针对原子层沉积前驱体的统一化学特性评价标准与工艺规范准则，导致各厂商前驱体产品性能表征口径不一、工艺验证数据缺乏可比性，严重制约了ALD技术在高端制造领域的推广应用与国际技术交流合作。在此背景下，BSISO19383-2026《原子层沉积——原子层沉积前驱体的化学特性及相关工艺规范》正式发布实施。该标准系统界定了原子层沉积前驱体的分类体系，明确规定了金