SEMI F19-23（MF1530-23）中文版：半导体衬底晶圆平整度测试标准.docxVIP

SEMIF19-23（MF1530-23）中文版：半导体衬底晶圆平整度测试标准

第1章范围

1.1本测试方法规定采用自动化非接触扫描法测量半导体衬底晶圆正面平整度、厚度、全片总厚度变化TTV。包含全局平整度、局部曝光视场（Site）平整度指标定义、样品要求、测试环境、扫描网格、设备要求、测试步骤、数据处理、报告与判定规则。

1.2适用晶圆：切片、研磨、刻蚀、抛光、外延等状态的硅衬底；晶圆直径≥50mm，厚度≥100μm。

1.3适用场景：晶圆出厂检验、来料入厂复检、工艺后平整度监控；非接触、无损检测。

1.4本标准不包含Bow（弓形）、Warp（翘曲）测量，Bow/Warp按SEMIMF1390执行。

第2章引用标准

SEMIM20硅晶圆坐标系规范

SEMIM59硅技术术语

SEMIMF1390硅晶圆弓形与翘曲非接触扫描测试方法

SEMIMF1530（本体）平整度与厚度测试方法

第3章术语与定义

衬底晶圆SubstrateWafer：用于器件制造的基底硅片，抛光片、外延片、SOI片。

边缘排除区EdgeExclusion：晶圆边缘不纳入平整度评估的环形区域，300mm晶圆常规取2~3mm，按供需双方协议约定。

TTVTotalThicknessVariation，总厚度变化：在边缘排除区内，晶圆厚度最大值减去最小值。全局厚度不均匀指标