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等效电路器件模型研究进展综述

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TOC\o1-3\h\u8969等效电路器件模型研究进展综述 1

147541.1器件模型研究背景与意义 1

291161.2器件模型分类 2

1.1器件模型研究背景与意义

以5G为代表性“新基建”中现代电子系统随着系统功能性与复杂度显著提升，对于从器件级到系统级每一个环节的精准模型依赖程度越来越高。由图1.1可以清晰地看出，精准的器件模型是电路设计EDA设计起点，是代工厂/IDM对外开放的生命线，也是用户缩短研制周期，优化成本效益的不二之选，同时亦可以反馈指导器件材料与工艺优化设计，是连接器件工艺测试、器件机理、器件表征、电路设计的关键桥梁，因此，器件模型可谓是现在电子系统全生命周期的起点，对器件进行精准建模具有非常重要的意义。

图1.1器件模型关键作用

然而，由于氮化镓HEMT射频器件材料生长、器件结构以及制造工艺中物理现象更加复杂，例如缺陷、自热与记忆效应等，导致无法直接套用相对成熟的GaAspHEMT模型，特别表现在晶体管非线性区，因此急需引入宽带精准的氮化镓GaNHEMT射频器件模型技术，充分挖掘与发挥氮化镓GaNHEMT射频器件高线性度、高效率以及高功率性能助力我国主导5G产业发展与壮大，实现第三代半导体集成电路核心自主可控。

MMIC单片微波集