半绝缘碳化硅晶圆：全球半绝缘碳化硅晶圆：6英寸放量、HPSI渗透与GaN-on-SiC需求重构.docxVIP

QYResearch｜全球行业调研报告

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半绝缘碳化硅晶圆：材料属性与应用边界

半绝缘碳化硅晶圆是具有高电阻率和低自由载流子浓度的单晶SiC成品晶圆，兼具电学隔离、较高热导率、机械稳定性和高频器件制造所需的表面质量。商业产品主要采用4H-SiC或6H-SiC，并通过高纯本征补偿或钒补偿实现半绝缘特性。本研究对象聚焦生产级成品晶圆，主要覆盖4英寸、6英寸和处于商业化扩展阶段的8英寸规格。其核心用途是在SiC衬底上进行GaN异质外延，进一步制造GaNHEMT、MMIC及射频功率器件，服务无线通信、雷达、卫星通信、工业射频及部分光学器件场景。客户认证通常围绕电阻率、晶型、缺陷水平、TTV、Bow/Warp、表面粗糙度及批次一致性展开，因此该产品具有明显的材料工艺壁垒与客户认证壁垒。

市场进入温和复苏与结构升级阶段

根据QYResearch调研统计，2025年全球半绝缘碳化硅晶圆市场规模约为1.9967亿美元，预计2032年达到约2.9898亿美元，2026–2032年期间复合增长率约为6.10%。上述规模主要覆盖生产级半绝缘SiC成品晶圆的销售价值，并按最终用途口径统计。当前行业仍受无线通信基础设施投资节奏影响，但需求结构正在向雷达、卫星通信和新兴光学应用扩展；供给端则围绕150mm规模化、200mm及更大尺寸技术、HPSI材料路线、良率