SEMI F80-23 光刻胶及配套化学品储存与使用技术要求（中文版技术汇编）.docxVIP

SEMIF80-23光刻胶及配套化学品储存与使用技术要求（中文版技术汇编）

0前言

本标准由SEMI微图案化技术委员会编制，规定半导体制造中光刻胶（正胶、负胶、EUV/ArF/KrF/i线/g线光刻胶）及配套辅剂（显影液、稀释剂、光阻清洗剂、抗反射涂层BARC等）的接收、标识、储存、温湿度管控、转运、开封、使用、有效期管理、废弃处置、安全与质量管控要求。

本标准目标：降低光刻胶因储存、搬运、操作不当引发的粘度漂移、光敏性能衰减、颗粒污染、组分分层、预曝光、金属离子污染，保障光刻工艺稳定性。

适用范围：半导体晶圆制造用各类光刻胶、光致抗蚀剂及光刻配套化学材料；不包含光刻胶原料、光刻胶成品制造环节。

1术语与定义

光刻胶Photoresist：含光敏化合物、树脂、溶剂的感光化学材料，包含正性光刻胶、负性光刻胶。

配套辅剂（Ancillaries）：与光刻胶配套使用的显影液、溶剂稀释剂、BARC抗反射涂层、边缘去除溶剂等。

货架有效期Shelflife：材料在标准储存条件下，保证规格性能合格的期限，由供应商标定。

开盖使用期（In-uselife）：容器开封后，材料允许使用的最长时间。

温变回温（Warm-up）：低温储存光刻胶，取出后升温至车间使用温度的静置过程。

安全黄光环境：过滤波长＜520nm紫外/蓝光，仅保留长波长黄光，防止光刻胶预感光。

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