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2026年电子科技微电子器件试题及答案.docx

2026年电子科技微电子器件试题及答案.docx

    2026年电子科技微电子器件试题及答案

    一、选择题（30分）

    1.半导体中载流子的主要运动形式是：

    A.扩散运动和漂移运动

    B.热运动和扩散运动

    C.漂移运动和热运动

    D.隧穿运动和复合运动

    2.PN结反向偏置时，耗尽层宽度：

    A.变窄

    B.不变

    C.变宽

    D.先变宽后变窄

    3.MOSFET的阈值电压主要取决于：

    A.栅氧化层厚度

    B.衬底掺杂浓度

    C.栅材料功函数

    D.以上都是

    4.下列哪种器件属于单极型器件：

    A.双极型晶体管

    B.结型场效应管

    C.晶体管

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