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FDB047N10
N沟道PowerTrench®
MOSFET
100
V，164
A，4.7
mΩ
产品描述
•导通电阻
=3.9
mΩ（典型值）@
VGS
= 10∨,
ID
= 75A
•快速开关速度
•低栅极电荷
•采用高性能沟槽技术实现极低导通电阻RDS(on)
•高功率电流承载能力
•符合RoHS
概述
该N沟道MOSFET采用飞兆®
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