APM1402S
N沟道增强型MOSFET
特性引脚说明
•20V/0.8A,RDS(导通)=190m(典型值)
@
VGS=4.5V,RDS(导通)=310m(典型D
值)
@
VGS=2.5V,密度单元设计,
可靠耐用
•
•
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