器件物理考研复试题库及详细参考答案.docxVIP

器件物理考研复试题库及详细参考答案

适用方向：微电子科学与工程、半导体器件、集成电路工程复试

考试形式：面试口述问答/笔试简答

内容范围：半导体基础、PN结、MOS器件、BJT器件、击穿特性、器件漏电与可靠性、半导体工艺相关物理机理

一、基础概念名词解释（复试高频必问）

1.本征半导体

参考答案：纯净的、不含任何杂质的半导体晶体。在绝对零度时没有自由载流子，室温下依靠本征激发产生等量的电子和空穴，载流子浓度只与温度和材料本身特性有关，导电能力弱且受温度影响极大。

2.杂质半导体

参考答案：在本征半导体中人为掺入特定杂质元素得到的半导体。掺入施主杂质形成N型半导体，多数载流子为电子；掺入受主杂质形成P型半导体，多数载流子为空穴。杂质半导体可以大幅提升导电能力，且导电特性可控。

3.载流子迁移率

参考答案：载流子在单位电场强度下的平均漂移速度，是衡量载流子运动快慢的核心参数。迁移率越高，器件导通能力越强。迁移率主要受晶格散射和电离杂质散射影响，温度升高晶格散射增强，迁移率下降；杂质浓度越高，散射越强，迁移率越低。

4.耗尽层

参考答案：PN结接触面附近，多数载流子因扩散运动耗尽，只剩下不能移动的电离杂质电荷的区域。该区域载流子浓度极低、电阻率极高，内部存在自建电场，是PN结整流、稳压、击穿等特性的核心区域。

5.势垒高度

参考答案：PN结热平衡状态下，P区和N区的费米能