CN119403175A 一种基于铁电半导体沟道和反铁电栅介质的高耐久FeFET及其制备方法 (北京大学).pdfVIP

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  • 2026-10-21 发布于重庆
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CN119403175A 一种基于铁电半导体沟道和反铁电栅介质的高耐久FeFET及其制备方法 (北京大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119403175A

(43)申请公布日2025.02.07

(21)申请号202411459599.5

(22)申请日2024.10.18

(71)申请人北京大学

地址100871北京市海淀区颐和园路5号

(72)发明人陈亮唐克超黄如

(74)专利代理机构北京万象新悦知识产权代理

有限公司11360

专利代理师贾晓玲

(51)Int.Cl.

H10D30/60(2025.01)

H10D64/68(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发

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