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IRFU120N MOSFET芯片技术参数手册.pdfVIP

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  • 2026-10-21 发布于北京
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IRFU120N MOSFET芯片技术参数手册.pdf

    IRFU120N参数

    包装数量

    75类别分离式产品系列FET类型

    MOSFETN通道，金属氧化物FET特性开态Rds(最大值)

    @Id,Vgs@25°C210毫欧@5.6A,10V漏源电压

    (Vdss)100V电流值-连续漏极电流(Id)@25°C9.4AId条件下

    的Vgs(th)(最大值)4V

    @

    250μA

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