100V N沟道MOSFET技术规格书.pdfVIP

表格

{

边框‑collapse:

collapse;

}

表格,

th,

td

{

边框:

1px

solid

#000;

}

FDMS86104

N沟道PowerTrench®

MOSFET

100

V,

16

A,

24

mΩ

特性

最大导通电阻 = 24mΩ（当V = 10V时，I = 7A）；

DS(on)GSD

最大导通电阻 = 39mΩ（当V = 6V，I = 5.5A时）

DS(on)GSD

■

先进封装与硅片组合技术，实现低导通电阻DS(on)与高效率；MSL1级稳

健封装设计；100%

UIIstested；符合RoHS规范

概述

这款N沟道MOSFET采用飞兆先进的Power

Trench®工艺制造，该工艺经特

殊优化可显著降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

应用

DC-DCCion

onvers

table{border-collapse:collapse;}table,th,td{border:1pxsolid#000;}

FDMS86104

N-ChannelPowerTrench®