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SuperFET II MOSFET技术规格手册.pdfVIP

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  • 2026-10-22 发布于北京
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SuperFET II MOSFET技术规格手册.pdf

    2014年1月

    FCMT199N60

    N沟道SuperFET®

    II

    MOSFET

    600

    V，20.2

    A，199毫欧

    特性描述

    •650V

    @

    TJ

    =150°CSuperFET®

    II

    MOSFET

    是新推出的高压超级结

    •导通电阻

    RDS(on)

    =170毫欧（典型值）（SJ）MOSFET

    ，采用电荷平衡技术，实现了卓越的低导

    •超低栅电荷（典型值

    Qg

    =57纳库仑）通电阻和更低的栅极电荷性能。该技术旨在最小化传导损耗，提

    供优越的开关性能、dv/dt

    率和更高的雪崩能量。因此，

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