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30V 42A N沟道功率MOSFET技术手册.pdfVIP

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  • 2026-10-28 发布于北京
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30V 42A N沟道功率MOSFET技术手册.pdf

    九月2009

    FDMS7672AS

    ®TM

    N沟道PowerTrenchSyncFET

    30

    V,

    42

    A,

    4

    m

    特性概述

    ◼最大

    r=4.0

    毫欧（在

    V=10V、I=18A

    条件下）◼FDMS7672AS专为最小化电源转换应用中的损耗而设计。通过结

    DS(on)GSD

    最大

    r=4.5

    毫欧（在

    V=7V、I=16A

    条件下）◼先合硅材料和封装技术的进步，该器件在保持卓越开关性能的同时

    DS(on)GSD

    进封装与硅片组合实现低导通电阻和高效率◼同步场效应管集

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