2026第三代半导体衬底材料制备工艺突破与产能爬坡评估
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、第三代半导体衬底材料行业概述与2026年发展趋势 5
1.1行业定义与材料体系分类 5
1.22026年全球及中国市场规模预测 7
二、SiC衬底制备核心工艺技术突破分析 11
2.1物理气相传输法(PVT)工艺优化路径 11
2.2液相法(LPE)与化学气相沉积法(CVD)进展 13
三、GaN衬底异质外延技术突破与工艺路线 16
3.1GaN-on-Si衬底应力管理技术进展 16
3.2GaN-on-SiC衬底外延工
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