JBT 8951.4-2025 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 第4部分:单相桥模块 标准立项发展报告.docxVIP

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  • 2026-10-29 发布于北京
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JBT 8951.4-2025 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 第4部分:单相桥模块 标准立项发展报告.docx

绝缘栅双极晶体管(IGBT)第4部分:单相桥模块标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)—Part4:Single-PhaseBridgeModule

摘要

绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为电力电子领域的核心功率半导体器件,广泛应用于工业变频、新能源发电、电动汽车、轨道交通等关键领域。随着IGBT模块在单相桥拓扑结构中的应用日趋成熟,制定统一、规范的产品标准成为行业发展的迫切需求。JB/T8951.4-2025《绝缘栅双极晶体管(IGBT)第4部分:单相桥模块》是由中国机械工业联合会主管、全国电力电子系统和设备标准化技术委员会(SAC/TC60)归口管理的机械行业标准,于2025年发布,将于2026年2月1日正式实施。该标准针对单相桥模块的术语定义、型号命名、技术要求、测试方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等方面作出了系统性规定,为IGBT单相桥模块的设计制造、质量检验和市场流通提供了统一的技术依据。本报告从标准立项背景、编制原则、主要技术内容、行业应用价值及未来展望等维度进行全面阐述,旨在推动该标准的宣贯实施,促进IGBT产业规范化、高质量发展。

关键词:绝缘栅双极晶体管;单相桥模块;JB/T8951.4-2025;功率半导

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