2025年物理气相沉积（PVD）金属电极工艺半导体芯片制造工艺工程师考核试卷.docVIP

2025年物理气相沉积（PVD）金属电极工艺半导体芯片制造工艺工程师考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.PVD金属电极工艺中，常用的靶材材料不包括：

A.钛

B.铝

C.硅

D.钨

2.在PVD沉积过程中，为了提高沉积速率，通常采用的方法是：

A.降低基板温度

B.提高真空度

C.增加气体流量

D.减少靶材电流密度

3.PVD沉积的金属电极，其厚度通常控制在：

A.0.1-0.5μm

B.1-5μm

C.10-50μm

D.100-500μm

4.在PVD工艺中，为了防止电极氧化，通常在沉积前进行：

A.高温退火

B.低温烘烤

C.化学清洗

D.真空烘烤

5.PVD沉积的金属电