基于SOI工艺的二极管瞬时剂量率效应数值模拟研究.pptxVIP

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目录

01

研究背景与科学意义

02

SOI材料与器件物理基础

03

瞬时剂量率效应作用机理

04

三维数值建模与仿真方法

05

仿真结果分析与工程启示

研究背景与科学意义

01

瞬时剂量率辐射在空间及高能环境中的普遍性及其对微电子器件的威胁

辐射威胁来源

地球辐射带、太阳耀斑、宇宙射线及核爆模拟环境产生高能瞬时剂量率辐射，对航天与军事电子系统构成严重威胁。这些辐射可在微秒内引发大量电子-空穴对，导致器件性能异常或功能失效。

器件敏感性增加

随着微电子工艺尺寸不断缩小，器件结构更加紧凑，导致其对辐射扰动的敏感性显著提升。这容易引发逻辑翻转、电源塌陷等系统级故障，影响整体运行稳定