模拟电路期末复习重点与习题解析题库（含详细答案解析·可打印）.docx

模拟电路期末复习重点与习题解析

题库（含详细答案解析）

（共160题单选/多选/判断/简答含详细答案解析）

一、单项选择题（本大题共110小题，每小题2分，共220分）

1．本征半导体中，自由电子浓度与空穴浓度的关系是：（）

A．自由电子浓度大于空穴浓度

B．自由电子浓度小于空穴浓度

C．自由电子浓度等于空穴浓度

D．自由电子浓度与空穴浓度无关

2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于：（）

A．温度B．掺杂浓度C．本征载流子浓度D．外加电压

3．PN结内建电场的方向是：（）

A．从P区指向N区B．从N区指向P区C．与外加电压方向相同D．与电流方向相同

4．PN结加正向电压时，其空间电荷区宽度将：（）

A．变宽B．变窄C．不变D．先变宽后变窄

5．理想二极管在正向导通时，其两端电压降为：（）

A．0VB．0.7VC．0.3VD．无穷大

6．实际硅二极管正向导通时，导通压降约为：（）

A．0.2VB．0.5VC．0.7VD．1.2V

7．二极管的反向饱和电流IS主要取决于：（）

A．外加正向电压B．温度C．外加反向电压大小D．负载电阻

8．稳压二极管正常工作时，应工作在伏安特性的：（）

A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区D．死区

9．在单相半波整流电路中，若变压器二次电压有效值为U2，则输出