三维集成电路可测性设计指南标准化发展研究报告.docx

三维集成电路可测性设计指南标准化发展报告

DesignGuidelinesforTestabilityofThree-DimensionalIntegratedCircuits:AStandardizationDevelopmentReport

摘要

随着半导体工艺特征尺寸逼近物理极限，三维集成电路（3DIC）凭借其垂直互连、异质集成和高带宽优势，成为后摩尔时代延续芯片性能增长的核心技术路径。然而，三维集成引入了硅通孔（TSV）、微凸点、混合键合等新型结构，使得传统二维芯片的可测性设计方法难以直接适用，测试成本与复杂度急剧攀升。本标准《三维集成电路可测性设计指南》（计划编号：2025-0842T-SJ）由深圳市中兴微电子技术有限公司牵头，联合中国电子技术标准化研究院、中国移动通信有限公司研究院共同起草，经工业和信息化部以工信厅科函〔2025〕423号文批准立项，归口全国集成电路标准化技术委员会管理。本报告系统阐述了该标准的制定背景、技术框架、核心内容及行业价值，分析了三维集成电路可测性设计面临的关键技术挑战与标准化需求，介绍了主要起草单位的技术积累与标准化贡献。研究表明，该标准的制定将有效填补我国在三维集成电路测试领域标准供给的空白，为设计企业、制造企业和测试服务商提供统一的技术参考框架，对推动我国集成电路产业高质量发展具有重要的指导意义。

关键词：三