2026年硅基氮化镓功率半导体器件制造项目可行性研究与立项备案指南.docx

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2026年硅基氮化镓功率半导体器件制造项目可行性研究与立项备案指南

摘要

本项目拟建设的硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率半导体器件产线，是面向新能源汽车快充、数据中心电源、光伏逆变器、工业伺服等高增长应用的第三代半导体制造项目。项目总投资约8亿元，规划月产6英寸硅基氮化镓晶圆1万片，达产年营收约9.6亿元，税后内部收益率约18%，静态投资回收期约6.2年。报告从市场需求、技术方案、投资估算、财务效益、风险防控五个维度展开论证，明确项目符合国家产业政策导向，具备技术可行性与经济合理性，同时梳理了立项备案、环评能评、土地获取的核心流程与关键要点，可作为项目立项决策、备案申报、拿地