GB_T 48345-2026 硅衬底氮化镓外延片核心技术要求与产业落地指引.docx

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GB/T48345-2026硅衬底氮化镓外延片核心技术要求与产业落地指引

本标准围绕HEMT功率器件用硅衬底氮化镓外延片，从结构设计、性能测试、质量控制全链条划定统一技术门槛，解决当前GaN-on-Si外延片行业规格不一、测试方法不统一、器件可靠性追溯难的共性问题。标准聚焦6英寸及以上量产级外延片，明确了位错密度、翘曲度、面内均匀性等核心参数的合格阈值，配套了可落地的测试流程与评价方法，可为外延片厂商、功率器件设计企业、第三方检测机构提供统一的技术依据，推动8英寸GaN-on-Si产业链规模化降本。

标准出台的行业背景与适用边界

GaN-on-Si功率器件凭借高击穿场强、高电