GBT+48164.2-2026+SiC+MOSFET体二极管双极退化可靠性试验方法培训.pptxVIP

GB/T48164.2-2026SiCMOSFET体二极管双极退化可靠性试验方法培训

目录

02

双极退化机理分析

01

标准概述与背景

03

试验条件与设备要求

04

试验流程与操作步骤

05

数据评估与失效判定

06

试验报告与注意事项

标准概述与背景

01

标准制定目的与意义

规范评估方法

本标准旨在规范碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管由于体二极管工作引起的双极退化评估方法，为器件可靠性提供统一的测试依据。

填补技术空白

硅功率晶体管通常不需要此项试验，本标准针对SiC材料特性建立专门测试方法，完善了半导体器件可靠性标准体系。

提升器件可靠性

通过明确导通电压、导通电阻和反向漏极