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南芯半导体模拟ic笔试试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题只有一个正确选项，请将正确选项的首字母填入括号内。每题2分，共40分）

1.在室温下，对于一个增强型NMOSFET，其阈值电压(Vth)决定于以下哪个参数？（）

A.沟道长度L和沟道宽度W

B.沟道长度L和体掺杂浓度Nd

C.沟道宽度W和体掺杂浓度Na

D.栅极材料

2.MOSFET工作在饱和区（增强型）时，其漏极电流ID主要受以下哪个因素控制？（）

A.栅源电压VGS和漏源电压VDS

B.栅源电压VGS和栅极电荷

C.漏源电压VDS和漏极电流源

D.沟道电导和漏极电阻

3.在BJT放大器中，为了获得较大的输入电阻和较小的输出电阻，通常采用哪种连接方式？（）

A.共射极连接

B.共基极连接

C.共集电极（发射极跟随器）连接

D.以上都不对

4.对于一个共源放大器，其电压增益Av主要取决于？（）

A.跨导gm和源极电阻Rs

B.跨导gm和负载电阻Rl

C.输入电阻和输出电阻

D.晶体管参数和温度

5.差分放大器的主要优点是？（）

A.电压增益高