原创力文档《砷化镓单晶电阻率均匀性测试
方法》
编制说明
中国电子装备技术开发协会
2026年8月
一、任务来源，起草单位，协作单位，主要起草人
1.1任务来源
砷化镓（GaAs）单晶是继硅之后最重要的化合物半导体材料之一，
具有电子迁移率高、禁带宽度大、光电特性优异等特点，广泛应用于
微波器件、光电器件、集成电路、传感器和窗口材料等领域。随着
5G通信、光电子、雷达探测、卫星导航等高端技术的
《砷化镓单晶电阻率均匀性测试
方法》
编制说明
中国电子装备技术开发协会
2026年8月
一、任务来源，起草单位，协作单位，主要起草人
1.1任务来源
砷化镓（GaAs）单晶是继硅之后最重要的化合物半导体材料之一，
具有电子迁移率高、禁带宽度大、光电特性优异等特点，广泛应用于
微波器件、光电器件、集成电路、传感器和窗口材料等领域。随着
5G通信、光电子、雷达探测、卫星导航等高端技术的
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