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2026年硅基氮化镓功率半导体器件生产基地建设项目可行性研究与立项备案全流程指南

本项目为总投资12.8亿元的6英寸硅基氮化镓功率器件产线建设项目，达产年产值18.6亿元，内部收益率（税后）16.7%，投资回收期7.2年（含建设期2年）。报告结合国家集成电路产业政策、第三代半导体市场需求与产业项目立项规范，系统梳理项目可行性论证核心要点、备案拿地全流程、财务测算模型与风险防控方案，为产业园区招商、企业立项申报与项目落地提供可复用的标准化框架。

项目建设背景与产业政策依据

全球与国内第三代半导体产业发展态势

硅基氮化镓（GaN-on-Si）作为第三代半导体核心分支，凭借高电子迁移率