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大疆模拟IC芯片开发笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

第一题在图示电路中，已知R1=1kΩ,R2=10kΩ,R3=5kΩ,Vcc=15V。求电阻R3两端的电压Vout。

第二题一个共源MOSFET放大器，其输入阻抗Rin和输出阻抗Rout分别由哪些因素主要决定？（请选择所有适用项）

A.MOSFET的跨导(gm)

B.MOSFET的输出电阻(ro)

C.信号源内阻

D.负载阻抗

E.电路中的电阻值

第三题解释什么是差分放大器的共模抑制比(CMRR)。CMRR的单位是什么？

第四题分析图示共射放大电路。已知晶体管Q1的β=100,Vbe=0.7V,R1=10kΩ,R2=20kΩ,Rc=2kΩ,Re=1kΩ,Rs=1kΩ,Vcc=12V。求该放大电路的静态工作点（即IB,IC,VCE）。

第五题在设计一个低通滤波器时，选择电容C的主要考虑因素有哪些？（请选择所有适用项）

A.器件本身的寄生电阻和电容

B.滤波器的截止频率

C.信号源的内阻

D.负载阻抗

E.电源电压

第六题运算放大器工作在开环状态时，其主要表现特征是什么？

第七题什么是MOSFET的阈值电压(Vth)？Vth的大小主要受哪些因素影响？（请列举至少两项）