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2026年电子学微电子技术集成电路设计试题及答案.docx

2026年电子学微电子技术集成电路设计试题及答案.docx

    2026年电子学微电子技术集成电路设计试题及答案

    一、选择题（每题2分，共30分）

    1.在CMOS工艺中，PMOS和NMOS晶体管的主要区别是：

    A.导电类型不同

    B.阈值电压不同

    C.迁移率不同

    D.以上都是

    2.集成电路设计中，功耗的主要来源不包括：

    A.动态功耗

    B.静态功耗

    C.短路功耗

    D.热功耗

    3.以下哪种不是集成电路制造的主要工艺步骤：

    A.光刻

    B.蚀刻

    C.离子注入

    D.焊接

    4.在深亚微米工艺中，以下哪种效应最为显著：

    A.短沟道效应

    B.长沟道效应

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