碳化硅外延片下游功率器件需求研究.docx

研究报告

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碳化硅外延片下游功率器件需求研究

一、研究背景与意义

1.1.碳化硅外延片技术发展现状

(1)碳化硅外延片作为新一代宽禁带半导体材料，近年来在全球范围内得到了迅速发展。其优异的电子特性，如高击穿电场、高热导率以及低导通电阻，使其在高温、高频和高功率应用领域具有不可替代的优势。从材料制备工艺来看，目前主流的碳化硅外延技术包括液相外延（LPE）、化学气相沉积（CVD）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）等。其中，CVD和MOCVD技术因其良好的可控性和可扩展性，在工业生产中得到了广泛应用。

(2)在碳化硅外延片的质量和性能方面，国内外研究机构和企业