CN119208162A 一种高温封装用Ni3Sn4/泡沫镍复合接头的制备方法 (哈尔滨理工大学).pdfVIP

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  • 2026-11-05 发布于重庆
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CN119208162A 一种高温封装用Ni3Sn4/泡沫镍复合接头的制备方法 (哈尔滨理工大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119208162A

(43)申请公布日2024.12.27

(21)申请号202411411433.6

(22)申请日2024.10.10

(71)申请人哈尔滨理工大学

地址150080黑龙江省哈尔滨市南岗区学

府路52号哈尔滨理工大学

(72)发明人潘振邓朝韩王志辉迟红梅

廉湘雨

(51)Int.Cl.

H01L21/56(2006.01)

B23K20/02(2006.01)

B23K20/24(2006.01)

B23K20/26(2006.01)

权利要求书1页说明书2页附图1页

(54

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