20V 5A N沟道MOSFET特性与封装说明.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约15.13万字
  • 约 22页
  • 2026-11-06 发布于北京
  • 举报

APM2054NV

N沟道增强型MOSFET

特性引脚说明

=35

•20V/5A,RDS(导通)m(典型值)

@

VGS=10V

RDS(导通)=45m(典型值)

@

VGS=4.5V

RDS(导通)=110m(典型值)

@

VGS=2.5V

密度单元设计

可靠且坚固

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档