CN119208147A 一种高出流能力的SiC MOS器件及制备方法 （扬州扬杰电子科技股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119208147A

(43)申请公布日2024.12.27

(21)申请号202411410368.5

(22)申请日2024.10.10

(71)申请人扬州扬杰电子科技股份有限公司

地址225008江苏省扬州市邗江区平山堂

北路江阳创业园三期

(72)发明人王正杨程裘俊庆万胜堂

王坤王毅

(74)专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事

务所(普通合伙)32283

专利代理师郭翔

(51)Int.Cl.

H01L21/336(2006.01)

H01L29/78(2006.01)

H01L29/16(2006.01)

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