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半导体材料芯片基础原理试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。下列每小题均有多个选项符合题意，请将正确选项的字母填写在题后的括号内。多选、错选、漏选均不得分）

1.下列关于本征半导体的描述，正确的有（）。

A.空穴和电子浓度相等

B.主要由原子周期性排列构成

C.导电能力受温度影响显著

D.能带结构中导带和价带完全重叠

E.掺入杂质后导电能力会显著增强

2.在半导体能带理论中，下列说法正确的有（）。

A.导带中的电子是束缚态

B.禁带宽度决定了半导体的导电性能

C.价带中通常被电子填满

D.半导体材料的禁带宽度一般较大

E.有效质量反映了载流子在电场中的加速性能

3.PN结形成后，下列描述正确的有（）。

A.空间电荷区（耗尽层）内载流子浓度很低

B.内建电场方向从N区指向P区

C.P区价电子向N区扩散，留下负离子

D.N区电子向P区扩散，留下正离子

E.平衡状态下，PN结内外电场强度相等

4.当PN结外加正向电压时，下列描述正确的有（）。

A.内建电场被削弱

B.耗尽层宽度减小

C.扩散电流远大于漂移电流