IEC 63068-1：2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第1部分缺陷分类标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准第1部分：缺陷分类标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices–Non-destructiveRecognitionCriteriaofDefectsinSiliconCarbideHomoepitaxialWaferforPowerDevices–Part1:ClassificationofDefects

摘要

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，凭借其高临界击穿场强、高热导率和高饱和电子漂移速度等优异物理特性，已成为功率电子器件领域最具发展前景的衬底与外延材料。然而，SiC同质外延片中各类缺陷的存在严重制约了功率器件的性能、可靠性与良率。产业界亟需一套统一、规范的无损缺陷识别与分类标准，以支撑外延片质量评估、器件工艺控制及供应链互认。在此背景下，国际电工委员会（IEC）于2019年正式发布了IEC63068-1:2019标准，该标准规定了功率器件用SiC同质外延片中缺陷无损识别的分类准则，为行业提供了权威的技术依据。本报告系统梳理了该标准的立项背景、技术内容、编制依据及应用价值，详细介绍了标准中缺陷分类体系的核心框架，分析了该标准对SiC功率器件产业链的规范与引导作用。研