200V 32A N沟道功率MOSFET技术手册.pdfVIP

April

2013

FQA32N20CN‑沟道

QFET®

MOSFET200

V，32

A，82

mΩ

描述特性

该N沟道增强型功率MOSFET采用Fairchild

•32A，200

V，RDS(on)=82mΩ（最大值）

@VGS=10

®V，ID

=16A

Semiconductor的专有平面条纹和DMOS技术制造。这项

先进的MOSFET技术特别针对降低导通电阻进行了优化，并•低栅极电荷（典型。

82.5

nC）

了优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于•低Crss（典型。

185

pF）

开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子镇流器。•100%

雪崩测试