IEC 63275-2-2022 半导体器件碳化硅离散金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第2部分：体二极管工作引起的双极性退化的试验方法 标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件碳化硅离散金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第2部分：体二极管工作引起的双极性退化的试验方法标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices-Reliabilitytestmethodforsiliconcarbidediscretemetal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistors-Part2:Testmethodforbipolardegradationduetobodydiodeoperation

摘要

随着宽禁带半导体技术的快速发展，碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）凭借其高击穿电场、高热导率和高开关速度等优异特性，在新能源汽车、光伏逆变器、轨道交通及航空航天等领域得到广泛应用。然而，SiCMOSFET在体二极管续流工作过程中，由于双极性退化效应，其导通电阻和正向压降会发生显著漂移，严重影响器件的长期可靠性和系统稳定性。国际电工委员会（IEC）于2022年5月11日正式发布IEC63275-2:2022标准，针对这一关键可靠性问题建立了标准化的试验方法。本报告系统梳理了该标准的立项背景、技术框架、核心试验方法及实施意义，