IEC 63284：2022 半导体器件.氮化镓晶体管用电感负载切换的可靠性试验方法标准立项发展报告.docx

半导体器件.氮化镓晶体管用电感负载切换的可靠性试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices-Reliabilitytestmethodbyinductiveloadswitchingforgalliumnitridetransistors

摘要

氮化镓（GaN）晶体管作为第三代宽禁带半导体器件的典型代表，凭借其高电子迁移率、高击穿场强和高热导率等优异特性，在电力电子、射频通信和新能源汽车等领域得到广泛应用。然而，GaN器件在实际应用中面临电感负载切换等复杂工况下的可靠性评估