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IEC 63068-1：2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第1部分缺陷分类标准立项发展报告.docx

IEC 63068-1：2019 半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第1部分缺陷分类标准立项发展报告.docx

    半导体器件——功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准第1部分：缺陷分类标准立项发展报告

    EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices–Non-destructiveRecognitionCriteriaofDefectsinSiliconCarbideHomoepitaxialWaferforPowerDevices–Part1:ClassificationofDefects

    摘要

    碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，凭借其高

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