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微电子学试卷及详解

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

PN结形成后，其内部存在的内建电场方向为（）

A.从P区指向N区

B.从N区指向P区

C.平行于PN结的交界面

D.在零偏压下内建电场不存在

答案：B

解析：PN结形成时，由于P区空穴浓度高、N区电子浓度高，载流子发生扩散运动。P区失去空穴留下不可移动的负离子，N区失去电子留下不可移动的正离子，从而在交界面两侧形成空间电荷区。内建电场的方向由正电荷指向负电荷，即从N区指向P区。该电场会阻碍多数载流子的进一步扩散，并促进少数载流子的漂移运动，最终达到动态平衡。A项方向颠倒了电场方向，属于常见的概念性错误；C项平行于结面的说法与电场垂直结面的实际分布不符；D项忽略了平衡时内建电场仍然存在的事实，零偏下内建电场并未消失，只是与扩散运动达到平衡。

在本征半导体中，电子浓度和空穴浓度的关系为（）

A.电子浓度大于空穴浓度

B.空穴浓度大于电子浓度

C.电子浓度等于空穴浓度

D.两者大小关系随温度变化

答案：C

解析：本征半导体是指纯净的、不含杂质且晶格完整的半导体材料。在本征激发过程中，一个电子从价带跃迁到导带，必然在价带留下一个空穴，因此电子和空穴总是成对产生，两者的浓度始终相等。本征载流子浓度随温度升高而增大，但电子浓度和空穴浓度的相等关系在任意温度下都成立。A项和B项描述的情况出现在N型或P型掺杂半