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2026年物联网工艺测试题及答案

一、单项选择题（共20题，每题1.5分，总计30分。每题只有1个正确答案，错选、不选均不得分）

1.2026年进入规模量产的晶圆级集成无源感知物联网标签（ChiplessRFID融合温湿度感知功能），量产线工艺良率的核心影响环节为（）

A.晶圆减薄至50μm厚度过程的碎片率控制

B.铝基天线蒸镀的厚度均匀性管控

C.硅通孔（TSV）刻蚀的侧壁粗糙度控制

D.激光划片的热影响区管控

2.依据3GPPR18标准，面向工业控制场景部署的RedCap物联网终端，休眠态（PSM模式）的电流功耗测试合格阈值为（）

A.≤5μA

B.≤1.2μA

C.≤0.3μA

D.≤10μA

3.物联网终端SMT组装工艺中，针对英制01005封装的贴片电阻、电容器件，锡膏印刷厚度的量产工艺窗口为（）

A.80μm±10μm

B.40μm±5μm

C.120μm±10μm

D.20μm±5μm

4.2025年修订版GB/T4208《外壳防护等级（IP代码）》中，针对地下管廊部署的工业物联网感知终端，IP68等级的强制浸水测试要求为（）

A.常温1米水深持续浸泡30分钟无渗漏

B.常温10米水深持续浸泡72小时无渗漏

C.常温5米水深持续浸泡24小时无渗漏

D.常温水下15米持续浸泡30分钟无渗漏

5.采用环氧塑封