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2026年半导体物理试题及解析

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

下列关于本征半导体的描述中，正确的是

A.本征半导体的导电能力随温度升高呈指数下降趋势

B.本征半导体中的电子浓度和空穴浓度始终完全相等

C.本征半导体在室温下的载流子浓度远高于同掺杂浓度的杂质半导体

D.本征半导体的禁带宽度会随温度升高而显著增大

答案：B

解析：正确选项依据是本征激发过程中，价带每激发一个电子到导带就会对应产生一个空穴，因此电子和空穴浓度严格相等。错误选项A的问题是温度升高本征激发强度提升，载流子浓度指数上升，导电能力同步提升而非下降；错误选项C的问题是室温下杂质半导体的多数载流子浓度由掺杂决定，通常远高于本征载流子浓度；错误选项D的问题是半导体的禁带宽度随温度升高会略有减小，源于晶格热膨胀导致的原子间距变化。

下列粒子中，属于半导体中等效正电载流子的是

A.导带中的自由电子

B.价带中的空穴

C.电离后的施主杂质负离子

D.电离后的受主杂质正离子

答案：B

解析：正确选项依据是空穴是价带电子跃迁后留下的等效正电载流子，可以在晶格中自由移动参与导电。错误选项A的导带电子带负电，不符合正电载流子要求；错误选项C和D中的电离杂质离子被晶格束缚，不能自由移动，无法参与导电。

半导体中载流子的漂移运动本质是

A.载流子在浓度梯度驱动下的定向运动

B.载流子在温度梯度驱动下