2025年大学电子科学与技术（电子器件研发）试题及答案.docVIP

2025年大学电子科学与技术（电子器件研发）试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：每题只有一个正确答案，请将正确答案的序号填在括号内。(总共8题，每题5分)

1.下列哪种半导体器件常用于高频放大电路？（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.晶闸管

2.半导体中自由电子和空穴的浓度与什么有关？（）

A.温度B.光照C.杂质浓度D.以上都是

3.当PN结外加正向电压时，其空间电荷区会（）

A.变宽B.变窄C.不变D.不确定

4.三极管处于放大状态时，其发射结和集电结的偏置情况是（）

A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏D.发射结和集电结都反偏

5.场效应管的输入电阻（）

A.很高B.很低C.与三极管差不多D.不确定

6.下列哪种半导体材料常用于制造发光二极管？（）

A.硅B.锗C.砷化镓D.碳化硅

7.半导体器件的温度升高时，其性能会（）

A.变好B.变差C.不变D.不确定

8.集成运算放大器的输入级通常采用（）

A.共发射极放大电路B.共集电极放大