基于Liberate+Tempus的先进老化时序分析方案.pptx

content目录01先进工艺下的芯片老化挑战与行业趋势02Liberate+Tempus联合解决方案的技术架构03老化感知静态时序分析的关键技术创新04设计效益与PPA优化实证分析05未来展望与设计方法学演进方向

先进工艺下的芯片老化挑战与行业趋势01

随着工艺节点进入7nm及以下，电路老化成为影响芯片可靠性的核心瓶颈工艺微缩瓶颈随着工艺进入7nm及以下，器件尺寸逼近物理极限，栅氧层变薄加剧老化效应。电路可靠性面临前所未有的挑战，老化成为制约芯片寿命的关键因素。BTI主导退化偏置温度不稳定性（BTI）导致阈值电压漂移，显著影响晶体管开关速度。在高压高温下，PMOS的NBTI效应尤为突出，引发