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MOS管原理与应用笔试题

考试时长：60分钟满分：100分

一、单项选择题（每题3分，共30分）

N沟道增强型MOS管开启的条件是（）

A.V

B.V

C.V

D.V

MOS管属于（）控制器件

A.电流

B.电压

C.功率

D.电荷

对于N沟道MOS管，当VD

A.截止区

B.线性区（可变电阻区）

C.饱和区（恒流区）

D.击穿区

P沟道增强型MOS管的开启电压VG

A.正值

B.负值

C.零

D.可正可负

MOS管输入阻抗高，主要原因是（）

A.栅极与沟道之间存在二氧化硅绝缘层

B.源极掺杂浓度高

C.漏极掺杂浓度高

D.衬底是本征半导体

MOS管的米勒电容主要指（）

A.C

B.C

C.C

D.C

同步整流电路中，优先选用MOS管而不是二极管，核心目的是（）

A.提高反向耐压

B.降低导通损耗

C.提升开关速度

D.简化驱动电路

MOS管热稳定性能优于双极型三极管，是因为（）

A.导通电阻随温度升高而增大

B.导通电阻随温度升高而减小

C.不存在寄生电容

D.没有衬底二极管

MOS管Co

A.输入电容

B.输出电容

C.密勒电容

D.栅源电容

驱动高压N沟道上管时，经常需要自举电路，原因是（）

A.抬高栅极驱动电位，保证VG

B.降低栅极电流

C.减小米勒平台

D.抑制浪涌电流

二、判断题（每题2